Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SCT2120AFC
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Číslo dílu
SCT2120AFC
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
165W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
156 mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3.3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 500V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
VGS (max.)
+22V, -6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17400 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SCT2120AFC
SCT2120AFC Elektronické komponenty
SCT2120AFC Odbyt
SCT2120AFC Dodavatel
SCT2120AFC Distributor
SCT2120AFC Datová tabulka
SCT2120AFC Fotky
SCT2120AFC Cena
SCT2120AFC Nabídka
SCT2120AFC Nejnižší cena
SCT2120AFC Vyhledávání
SCT2120AFC Nákup
SCT2120AFC Chip