Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SCT2160KEC
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Číslo dílu
SCT2160KEC
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
165W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
208 mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 800V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
VGS (max.)
+22V, -6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9234 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SCT2160KEC
SCT2160KEC Elektronické komponenty
SCT2160KEC Odbyt
SCT2160KEC Dodavatel
SCT2160KEC Distributor
SCT2160KEC Datová tabulka
SCT2160KEC Fotky
SCT2160KEC Cena
SCT2160KEC Nabídka
SCT2160KEC Nejnižší cena
SCT2160KEC Vyhledávání
SCT2160KEC Nákup
SCT2160KEC Chip