Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SCT2450KEC
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247
Číslo dílu
SCT2450KEC
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
85W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
585 mOhm @ 3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
463pF @ 800V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
VGS (max.)
+22V, -6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7672 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SCT2450KEC
SCT2450KEC Elektronické komponenty
SCT2450KEC Odbyt
SCT2450KEC Dodavatel
SCT2450KEC Distributor
SCT2450KEC Datová tabulka
SCT2450KEC Fotky
SCT2450KEC Cena
SCT2450KEC Nabídka
SCT2450KEC Nejnižší cena
SCT2450KEC Vyhledávání
SCT2450KEC Nákup
SCT2450KEC Chip