Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SCT2280KEC
MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
Číslo dílu
SCT2280KEC
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
108W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
364 mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
667pF @ 800V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
VGS (max.)
+22V, -6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17707 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SCT2280KEC
SCT2280KEC Elektronické komponenty
SCT2280KEC Odbyt
SCT2280KEC Dodavatel
SCT2280KEC Distributor
SCT2280KEC Datová tabulka
SCT2280KEC Fotky
SCT2280KEC Cena
SCT2280KEC Nabídka
SCT2280KEC Nejnižší cena
SCT2280KEC Vyhledávání
SCT2280KEC Nákup
SCT2280KEC Chip