onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVB143ZPDXV6T1G
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Číslo dílu
NSVB143ZPDXV6T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-563
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
This family of digital transistors is suitable for replacing a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce both system cost and board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 68690 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVB143ZPDXV6T1G
NSVB143ZPDXV6T1G Elektronické komponenty
NSVB143ZPDXV6T1G Odbyt
NSVB143ZPDXV6T1G Dodavatel
NSVB143ZPDXV6T1G Distributor
NSVB143ZPDXV6T1G Datová tabulka
NSVB143ZPDXV6T1G Fotky
NSVB143ZPDXV6T1G Cena
NSVB143ZPDXV6T1G Nabídka
NSVB143ZPDXV6T1G Nejnižší cena
NSVB143ZPDXV6T1G Vyhledávání
NSVB143ZPDXV6T1G Nákup
NSVB143ZPDXV6T1G Chip