onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBAS19LT1G
120V 200mA 1.25V@200mA Switching Diode, High Voltage, 120 V
Číslo dílu
NSVBAS19LT1G
Kategorie
Diodes > Switching Diodes
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This high voltage switching diode is suitable for high voltage, high speed switching applications. This dual diode device contains two electrically isolated high voltage switching diodes in a SOT-23 surface mount encapsulation.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 82727 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBAS19LT1G
NSVBAS19LT1G Elektronické komponenty
NSVBAS19LT1G Odbyt
NSVBAS19LT1G Dodavatel
NSVBAS19LT1G Distributor
NSVBAS19LT1G Datová tabulka
NSVBAS19LT1G Fotky
NSVBAS19LT1G Cena
NSVBAS19LT1G Nabídka
NSVBAS19LT1G Nejnižší cena
NSVBAS19LT1G Vyhledávání
NSVBAS19LT1G Nákup
NSVBAS19LT1G Chip