onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBAS21AHT1G
250V 200mA 1.25V@200mA switching diode, low leakage
Číslo dílu
NSVBAS21AHT1G
Kategorie
Diodes > Switching Diodes
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-323
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
The BAS21AHT1G is a low-drain switching diode with SOD-323 encapsulation. This device is the same as the BAS21HT1G, but with improved performance and compliance with reverse leakage current (IR) specifications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53635 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBAS21AHT1G
NSVBAS21AHT1G Elektronické komponenty
NSVBAS21AHT1G Odbyt
NSVBAS21AHT1G Dodavatel
NSVBAS21AHT1G Distributor
NSVBAS21AHT1G Datová tabulka
NSVBAS21AHT1G Fotky
NSVBAS21AHT1G Cena
NSVBAS21AHT1G Nabídka
NSVBAS21AHT1G Nejnižší cena
NSVBAS21AHT1G Vyhledávání
NSVBAS21AHT1G Nákup
NSVBAS21AHT1G Chip