onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBAS16W1T1G
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
Číslo dílu
NSVBAS16W1T1G
Kategorie
Diodes > Switching Diodes
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SC-88-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This silicon epitaxial planar diode is suitable for ultra-high-speed switching applications. The device is a three diode configuration with SC?88 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications where PCB space is at a premium.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 64626 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBAS16W1T1G
NSVBAS16W1T1G Elektronické komponenty
NSVBAS16W1T1G Odbyt
NSVBAS16W1T1G Dodavatel
NSVBAS16W1T1G Distributor
NSVBAS16W1T1G Datová tabulka
NSVBAS16W1T1G Fotky
NSVBAS16W1T1G Cena
NSVBAS16W1T1G Nabídka
NSVBAS16W1T1G Nejnižší cena
NSVBAS16W1T1G Vyhledávání
NSVBAS16W1T1G Nákup
NSVBAS16W1T1G Chip