onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVB1706DMW5T1G
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Číslo dílu
NSVB1706DMW5T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SC-88A
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 88450 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVB1706DMW5T1G
NSVB1706DMW5T1G Elektronické komponenty
NSVB1706DMW5T1G Odbyt
NSVB1706DMW5T1G Dodavatel
NSVB1706DMW5T1G Distributor
NSVB1706DMW5T1G Datová tabulka
NSVB1706DMW5T1G Fotky
NSVB1706DMW5T1G Cena
NSVB1706DMW5T1G Nabídka
NSVB1706DMW5T1G Nejnižší cena
NSVB1706DMW5T1G Vyhledávání
NSVB1706DMW5T1G Nákup
NSVB1706DMW5T1G Chip