onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBA114YDXV6T1G
2 PNP - pre-biased 100mA 50V
Číslo dílu
NSVBA114YDXV6T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-563
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 81833 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBA114YDXV6T1G
NSVBA114YDXV6T1G Elektronické komponenty
NSVBA114YDXV6T1G Odbyt
NSVBA114YDXV6T1G Dodavatel
NSVBA114YDXV6T1G Distributor
NSVBA114YDXV6T1G Datová tabulka
NSVBA114YDXV6T1G Fotky
NSVBA114YDXV6T1G Cena
NSVBA114YDXV6T1G Nabídka
NSVBA114YDXV6T1G Nejnižší cena
NSVBA114YDXV6T1G Vyhledávání
NSVBA114YDXV6T1G Nákup
NSVBA114YDXV6T1G Chip